Китай дава тласък на усилията си в разработването и производството на чипове съгласно директивата на президента Си Дзинпин за повишаване на самодостатъчността в сектора, но инициативата е изправена пред затруднения на фона на изтичането на таланти заради мащабните ограничения на САЩ върху чувствителната технология, пише Nikkei Asia Review.
На годишната конференция на групата SEMI относно индустрията на чипове тази седмица председателят на UNISOC Ву Шънву изложи амбициозна визия за плановете за растеж на китайската компания.
UNISOC твърди, че държи 11% дял от световния пазар на чипове за смартфони, което би я наредило на четвърто място след тайванската MediaTek, Qualcomm и Apple. Компанията притежава техническите възможности за проектиране на авангардни 6-нанометрови полупроводници - пример за напредъка, който подтикна Вашингтон да действа срещу Китай.
След като през октомври бяха обявени най-новите ограничения в САЩ, Си обеща да „спечели битката в ключови основни технологии“, което показва, че Пекин няма намерение да се откаже от стремежа си към самодостатъчност при полупроводниците. Но с последните мерки, ограничаващи достъпа до американския персонал заедно с технологиите, постигането на тази цел изглежда още по-трудно.
След разкриването на инициативата „Произведено в Китай 2025“ за насърчаване на технологичния сектор на страната през 2015 г., Китай постигна напредък в увеличаването на вътрешните доставки на полупроводници, които отговориха само на 10% от търсенето през тази година.
Доклад от юни на американската консултантска фирма International Business Strategies установи, че Китай е доставил 24% от полупроводниците на своя пазар през 2021 г. и прогнозира, че страната ще надхвърли 50% през 2030 г.
Новите ограничения на САЩ обаче могат да направят така този сценарий да не се сбъдне. Въпреки че компании като UNISOC са успели да проектират 10-нанометрови и по-модерни чипове, Вашингтон се стреми да удари способността на Китай да ги произвежда у дома.
Що се отнася до производството, водещата китайска компания за чипове Semiconductor Manufacturing International Corp. започна масово производство на 14-нанометрови чипове. Advanced Micro-Fabrication Equipment доставя инструменти за полупроводници до 5 нанометъра, докато Piotech разработва устройства за 10-нанометрови и по-модерни чипове. Всичко това тревожи Вашингтон.
Новите американски ограничения върху доставката на производствено оборудване, материали и технологии на китайските производители на полупроводници също подлагат на проверка гражданите на САЩ и постоянно пребиваващите, които работят в китайски компании за полупроводници.
Тези компании са наели множество граждани на САЩ и постоянно пребиваващи от китайски етнос.
„Има много случаи, в които персоналът учи в американски висши училища, прекарва време в американски компании, преди да се върне в Китай“, споделя висш мениджър от индустрията.
Ръководителите, които притежават американско или тайванско гражданство, сега напускат китайските компании. На фона на повишеното напрежение между Вашингтон и Пекин, "има опасения, че изключителни таланти от САЩ и други чуждестранни места ще се дистанцират от китайските компании за полупроводници", добавя мениджърът, пожелал анонимност.
Само 20% от оборудването на водещите китайски фабрики за полупроводници се доставя на местно ниво. За да може Китай да увеличи производството на чипове или да развие напреднали технологии, той все още разчита на външно оборудване, технологии и човешки ресурси.
Американската стратегия приоритизира предотвратяването на китайското производство на авангардни полупроводници, които могат да бъдат преназначени за военна употреба. Докато САЩ остават хегемон в пространството на чиповете, те могат да бъдат с една крачка пред Китай.
Китайският сектор на чиповете не би имал реален шанс бързо да настигне САЩ без свободен достъп до хора и материали, необходими за модернизиране на индустрията.
„Полупроводниците са предните линии на технологичната битка със САЩ“, изтъква в края на октомври Йе Тиенчун, мениджър в китайски производител на полупроводници.
16:44 | 05.11.22 г.
