Девет компании, произвеждащи електронни чипове, включително Samsung Electronics, бяха глобени от европейските антитръстови органи с общо 331 млн. евро за незаконно договаряне на цени, съобщава Financial Times.
Европейската антитръстова комисия наложи най-високата санкция от 145,73 млн. евро на Samsung, докато Infineon беше глобена с 56 млн. евро, а Hynix Semiconductor - с 51,47 млн. евро за участието им в картел за фиксиране на цени на RAM (random access memory) чипове за периода от юли 1998 г. до юни 2002 г.
Други компании, участвали в картела, са Hitachi, която получи глоба от 20,41 млн. евро, Toshiba Corp със 17,64 млн. евро (поредна глоба за компанията в последните няколко месеца), Mitsubishi Electric с 16,6 млн. евро и Nanya Technology с 1,8 млн. евро. Elpida Memory беше глобена заедно с NEC Corp и Hitachi с 8.5 млн. евро, докато NEC Corp и Hitachi бяха глобени заедно с 2,12 млн. евро. Отделно NEC Corp е глобена с 20,41 млн. евро.
Micron Technology получи имунитет и не беше глобена, тъй като компанията съобщи за картела през 2002 г.
Samsung Electronics и Hynix заемат първо и второ място сред най-големите производители на електронна памет в света. Чиповете D-Ram се използват в персоналните компютри, принтерите, мобилните телефони и конзолите за игри.
Случаят е първият след приемането на новите антитръстови регулации през юли 2008 г., според които глобите за компаниите, признали участието си в картел, се намаляват с 10%.
„Като признаха участието си в картела, компаниите позволиха на комисията да затвори това дълго разследване и да освободи ресурсите си за разследване на други случаи“, каза европейският комисар по конкурентоспособността Хоакин Алмуня.
За нарушаване на европейското законодателство комисията може да глобява компании с до 10% от техния глобален оборот.
През миналата година антитръстовите регулаторни органи в Южна Корея обявиха, че не са открили картел сред производителите на памет, докато от Samsung и Toshiba обявиха, че американските власти също са прекратили подобно разследване през миналия август.
18:29 | 10.09.22 г.